国家知识产权局信息显示，厦门市三安集成电路有限公司取得一项名为“一种半导体电阻器及集成pHEMT器件”的专利，授权公告号CN224596865U，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体电阻器及集成pHEMT器件，包括从下至上依次层叠的衬底、半导体层以及PIN结构，所述PIN结构包括依次设于所述半导体层之上的N型半导体层、I型半导体层和P型半导体层；P型半导体层的厚度为H1，I型半导体层的厚度为H2，在所述PIN结构中，设有沿着至上而下方向注入绝缘离子而形成的离子注入高阻层，离子注入高阻层的厚度为H，0＜H＜H1+H2。本实用新型不但提高了PIN结构的利用率，提升电路集成效率，同时使高阻值电阻随需求有更灵活的调整空间。

天眼查资料显示，厦门市三安集成电路有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门市三安集成电路有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目88次，专利信息368条，此外企业还拥有行政许可107个。

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